一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114604820 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202210225160.0 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人 浙江大学 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 (72)发明人 徐杨　曹小雪　吴少雄　彭蠡　 (74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公 司 33200 专利代理师 刘静 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G03F 7/095 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法 (57)摘要 本发明公开了一种厚膜材料纳米图形刻蚀 方法，将几十纳米厚度薄膜材料转移到衬底上 (半导体、聚合物、玻璃等)，采用电子束光刻技术 在薄膜表面刻蚀纳米量级图形，EBL胶采用上下 两种不同得胶形成倒梯形结构。然后采用电子束 蒸发，蒸镀一层铝金属薄膜，利用丙酮剥离，ICP (感应耦合等离干法刻蚀)刻蚀薄膜，200℃通氯 气，去除表面铝，即可得到不同线宽的薄膜结构， 线宽最小可达到百纳米量级。本发明可以刻蚀几 十纳米厚度的薄膜，解决了图形化刻蚀纳米量级 薄膜只能刻蚀单层或少层二维材料的问题。 A 0 2 8 4 0 6 4 1 1 N