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用于高数值孔径穿缝源掩模优化的方法

2023-06-07 12:37:32 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN201980066886.0
  • 公开(公告)日:2025-06-17
  • 公开(公告)号:CN112823312A
  • 申请人:ASML荷兰有限公司
摘要:本文描述了一种利用光刻投影设备进行源掩模优化的方法。光刻投影设备包括照射源和被配置为将掩模设计布局成像到衬底上的投影光学器件。该方法包括使用针对照射源、投影光学器件和掩模设计布局的多个可调谐设计变量来确定多变量源掩模优化函数。多变量源掩模优化函数考虑到遍及曝光缝隙中对应于掩模设计布局的不同条纹的不同位置的成像变化,所述不同条纹由曝光设备的同一缝隙位置曝光。该方法包括迭代地调整所述多变量源掩模优化函数中的多个可调谐设计变量,直到满足终止条件。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112823312 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 201980066886.0 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 (22)申请日 2019.10.03 代理人 闫红 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/743,058 2018.10.09 US G03F 1/70 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G03F 7/20 (2006.01) 2021.04.09 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2019/076793 2019.10.03 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/074356 EN 2020.04.16 (71)申请人 ASML荷兰有限公司 地址 荷兰维德霍温 (72)发明人 K ·Z ·特鲁斯特 E ·范塞滕  段福 ·史蒂芬 ·苏 

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