基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112180695 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010577647.6 (22)申请日 2020.06.23 (30)优先权数据 2019-124575 2019.07.03 JP (71)申请人 东京毅力科创株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 大塚幸信　 (74)专利代理机构 北京尚诚知识产权代理有限 公司 11322 代理人 龙淳　徐飞跃 (51)Int.Cl. G03F 7/38(2006.01) G03F 7/40(2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图8页 (54)发明名称 基片热处理装置、基片热处理方法和存储介 质 (57)摘要 本发明提供一种基片热处理装置、基片热处 理方法和存储介质。基片热处理装置包括：能够 对形成有覆膜的基片进行支承和加热的加热部； 将所述加热部上的处理空间与外部空间隔开的 腔室；外周排气部，其在比所述基片的周缘靠外 侧的位置具有朝向所述处理空间内的开口，以将 所述处理空间内的气体排出；和排气控制部，其 伴随所述加热部对所述基片的加热时间的经过， 而增加所述外周排气部所排出的所述气体的排 出量。根据本发明，能够有效地兼顾热处理对象 的覆膜的膜厚均匀性和由热处理所产生的升华 A 物的回收的可靠性。 5 9 6