表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装置、系统和介质

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116224723 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310118541.3 (22)申请日 2023.02.13 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 中国科学院微电子研究所 (72)发明人 马乐　韦亚一　张利斌　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 王宝筠 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G06T 7/60 (2017.01) G06N 3/08 (2023.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图8页 (54)发明名称 表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装 置、系统和介质 (57)摘要 本申请提供一种表面等离子体光刻掩膜图 形优化方法、装置、系统和介质，训练集包括：历 史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻 胶图形的特征尺寸；利用训练集学习历史目标光 刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻胶图形的 特征尺寸之间的映射关系；将当前目标光刻胶图 形的特征尺寸输入预先训练的神经网络模型，输 出当前仿真光刻胶图形的特征尺寸；计算当前目 标光刻胶图形的特征尺寸和当前仿真光刻胶图 形的特征尺寸之间的第一误差值；利用多元优化 算法确定当前掩膜图形的优化步长；根据当前目 A 标光刻胶图形的特征尺寸和当前掩膜图形的优 3 化步长，得到优化后掩膜图形的特