二次加料系统和二次加料方法
- 申请专利号:CN202211602739.0
- 公开(公告)日:2025-06-13
- 公开(公告)号:CN115976630A
- 申请人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115976630 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211602739.0 (22)申请日 2022.12.13 (71)申请人 西安奕斯伟材料科技有限公司 地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南 路1888号1-3-029室 申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司 (72)发明人 纪天平 张鹏举 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 专利代理师 李清风 (51)Int.Cl. C30B 15/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 二次加料系统和二次加料方法 (57)摘要 本发明涉及一种二次加料系统,包括单晶炉 和二次加料装置 ,所述二次加料装置包括加料 筒、提拉杆和石英锥,所述加料筒的外周面上设 置有凸环,所述单晶炉包括主炉室和副炉室,所 述副炉室的内侧壁上设置有与所述凸环相配合 的挡块 ,所述二次加料系统还包括第一移动结 构,所述第一移动结构用于控制所述挡块进行升 降运动。本发明还涉及一种二次加料方法。通过 所述第一移动结构的设置,可以实现所述挡块的 升降 ,从而实现加料筒的单独升降 ,增大加料筒 和石英锥之间的间距,解决卡料问题,且不会造 成加料筒的损伤。 A 0 3 6 6 7 9 5 1 1 N C CN
最新专利
- 一种绝缘耐高温磨蚀还原炉底盘及其涂层制备方法公开日期:2025-06-20公开号:CN116446043A申请号:CN202310428261.2一种绝缘耐高温磨蚀还原炉底盘及其涂层制备方法
- 发布时间:2023-07-21 07:14:530
- 申请号:CN202310428261.2
- 公开号:CN116446043A
- 一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置公开日期:2025-06-20公开号:CN116043328A申请号:CN202310049219.X一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置
- 发布时间:2023-05-12 09:54:270
- 申请号:CN202310049219.X
- 公开号:CN116043328A
- 单晶硅棒生长方法及装置公开日期:2025-06-20公开号:CN116005249A申请号:CN202211677268.X单晶硅棒生长方法及装置
- 发布时间:2023-05-17 10:15:350
- 申请号:CN202211677268.X
- 公开号:CN116005249A
- 一种驱动传动装置及外延设备反应装置公开日期:2025-06-17公开号:CN117888201A申请号:CN202311864961.2一种驱动传动装置及外延设备反应装置
- 发布时间:2024-04-21 07:18:190
- 申请号:CN202311864961.2
- 公开号:CN117888201A
- 一种空心箱型密集单晶炉基础群模板架设装置公开日期:2025-06-17公开号:CN117737865A申请号:CN202311663729.2一种空心箱型密集单晶炉基础群模板架设装置
- 发布时间:2024-03-25 07:49:140
- 申请号:CN202311663729.2
- 公开号:CN117737865A
- 一种氟铪硫酸盐深紫外倍频晶体材料及其制备与应用公开日期:2025-06-17公开号:CN116200830A申请号:CN202211715461.8一种氟铪硫酸盐深紫外倍频晶体材料及其制备与应用
- 发布时间:2023-06-04 11:12:560
- 申请号:CN202211715461.8
- 公开号:CN116200830A