一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116695239 A (43)申请公布日 2023.09.05 (21)申请号 202310405617.0 (22)申请日 2023.04.14 (71)申请人 珠海庞纳微半导体科技有限公司 地址 519000 广东省珠海市横琴新区环岛 东路3000号横琴国际商务中心2723 (72)发明人 邢琨　胡君玮　杨波　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 专利代理师 赖妙旋 (51)Int.Cl. C30B 23/02 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) 权利要求书2页 说明书18页 附图7页 (54)发明名称 一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝 薄膜的器件 (57)摘要 本发明涉及一种氮化铝薄膜的制备方法及 基于氮化铝薄膜的器件。所述制备方法包括 ：提 供氮化铝基底，所述氮化铝基底包括层叠设置的 衬底及具有第一温度的氮化铝层；在所述氮化铝 层背离所述衬底的表面设置保护层，所述保护层 包括凹陷区及环绕所述凹陷区外周设置的平片 区，所述平片区面向所述氮化铝层的表面的均方 根粗糙度RMS的范围为：0nm＜RMS≤50nm；以及将 氮化铝基底及保护层进行热退火处理，以得到具 有第二温