一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117779204 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311833546.0 (22)申请日 2023.12.28 (71)申请人 中国科学院物理研究所 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8 号 (72)发明人 史鲁川　赵建发　靳常青　 (74)专利代理机构 北京天达知识产权代理事务 所有限公司 11386 专利代理师 赵洋洋 (51)Int.Cl. C30B 33/02 (2006.01) C30B 29/22 (2006.01) C30B 28/02 (2006.01) H01B 12/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流 密度提升的方法 (57)摘要 本发明涉及一种Cu1234超导体临界电流密 度提升的方法，属于超导材料技术领域，用以解 决现有技术方法合成的Cu1234超导体多晶块体 材料的实际临界电流密度低于晶粒本征临界电 流密度的问题。本发明的方法将制备的Cu1234超 导体多晶块体材料在特定的温度及氧气氛围中 进行热处理，通过特定的热处理温度和热处理时 间设置，可以使样品能够充分释放内应力，连续 调控晶格中氧含量，改善晶界弱连接和晶格畸变 等造成多晶块体材料实际电流密度降低的问题， 有效提高Cu1234超导体多晶块体材料的临界电 A 流密度J 。