一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法
- 申请专利号:CN202310377259.7
- 公开(公告)日:2025-07-11
- 公开(公告)号:CN116377576A
- 申请人:浙江桦茂科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116377576 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310377259.7 C30B 33/02 (2006.01) C30B 31/06 (2006.01) (22)申请日 2023.04.11 (71)申请人 浙江桦茂科技有限公司 地址 324400 浙江省衢州市龙游县模环乡 浙江龙游经济开发区北斗大道12号4 号车间 (72)发明人 薄一恒 李林林 王立群 (74)专利代理机构 浙江维创盈嘉专利代理有限 公司 33477 专利代理师 郑嘉 (51)Int.Cl. C30B 25/18 (2006.01) C30B 25/20 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01) C30B 25/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 (54)发明名称 一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种超宽禁带半导体双掺杂 金刚石及其制备方法,利用微波等离子体化学气 相沉积法,以甲烷、氢气、四氟化碳及二乙基铍蒸 汽为生长气源,在经过预处理、金刚石形核后的 衬底上生长出含氟、铍元素的双掺杂金刚石。本 发明通过纳米金刚石种子溶液植晶增加金刚石
最新专利
- 一种外延炉供气结构及供气系统公开日期:2025-07-29公开号:CN116288694A申请号:CN202310346330.5一种外延炉供气结构及供气系统
- 发布时间:2023-06-27 09:50:050
- 申请号:CN202310346330.5
- 公开号:CN116288694A
- 一种均匀化烧蚀单晶金刚石的方法公开日期:2025-07-29公开号:CN116121878A申请号:CN202310163273.7一种均匀化烧蚀单晶金刚石的方法
- 发布时间:2023-05-18 12:22:320
- 申请号:CN202310163273.7
- 公开号:CN116121878A
- 一种大尺寸联苄基有机闪烁体单晶的制备方法及制得的单晶公开日期:2025-07-29公开号:CN116024645A申请号:CN202211234173.0一种大尺寸联苄基有机闪烁体单晶的制备方法及制得的单晶
- 发布时间:2023-05-16 09:04:290
- 申请号:CN202211234173.0
- 公开号:CN116024645A
- 一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法公开日期:2025-07-25公开号:CN116219540A申请号:CN202310054569.5一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法
- 发布时间:2023-06-11 11:41:270
- 申请号:CN202310054569.5
- 公开号:CN116219540A
- 一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格及其制备方法公开日期:2025-07-25公开号:CN116145264A申请号:CN202310120928.2一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格及其制备方法
- 发布时间:2023-05-28 11:47:280
- 申请号:CN202310120928.2
- 公开号:CN116145264A
- 一种单晶三元正极材料及其制造方法、一种锂离子电池公开日期:2025-07-25公开号:CN115763747A申请号:CN202211483110.9一种单晶三元正极材料及其制造方法、一种锂离子电池
- 发布时间:2023-06-07 22:12:250
- 申请号:CN202211483110.9
- 公开号:CN115763747A