发明

一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法

2023-07-06 10:33:20 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310377259.7
  • 公开(公告)日:2025-07-11
  • 公开(公告)号:CN116377576A
  • 申请人:浙江桦茂科技有限公司
摘要:本发明公开了一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法,利用微波等离子体化学气相沉积法,以甲烷、氢气、四氟化碳及二乙基铍蒸汽为生长气源,在经过预处理、金刚石形核后的衬底上生长出含氟、铍元素的双掺杂金刚石。本发明通过纳米金刚石种子溶液植晶增加金刚石形核密度,使沉积的金刚石层粗糙度降低;在金刚石生长过程中加入含氟、铍元素的气源,氟、铍掺杂原子对主体碳原子替位,不会明显改变金刚石的晶格结构,氟作为施主杂质、铍作为受主杂质的双掺杂属于浅能级掺杂,提高了金刚石的载流子浓度及迁移率;沉积结束时形成C‑H终端结构,并通过退火调节应力分布,稳定成分均匀性,提高了双掺杂金刚石的电学性能和机械性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116377576 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310377259.7 C30B 33/02 (2006.01) C30B 31/06 (2006.01) (22)申请日 2023.04.11 (71)申请人 浙江桦茂科技有限公司 地址 324400 浙江省衢州市龙游县模环乡 浙江龙游经济开发区北斗大道12号4 号车间 (72)发明人 薄一恒 李林林 王立群  (74)专利代理机构 浙江维创盈嘉专利代理有限 公司 33477 专利代理师 郑嘉 (51)Int.Cl. C30B 25/18 (2006.01) C30B 25/20 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01) C30B 25/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 (54)发明名称 一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种超宽禁带半导体双掺杂 金刚石及其制备方法,利用微波等离子体化学气 相沉积法,以甲烷、氢气、四氟化碳及二乙基铍蒸 汽为生长气源,在经过预处理、金刚石形核后的 衬底上生长出含氟、铍元素的双掺杂金刚石。本 发明通过纳米金刚石种子溶液植晶增加金刚石

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