用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808142 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210549425.2 (22)申请日 2022.05.20 (71)申请人 东莞市天域半导体科技有限公司 地址 523000 广东省东莞市松山湖北部工 业城工业北一路5号二楼办公楼 (72)发明人 丁雄傑　韩景瑞　刘薇　邹雄辉　 李锡光　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 专利代理师 陈进芳 (51)Int.Cl. C30B 33/02 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图8页 (54)发明名称 用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置 (57)摘要 本发明公开一种用于导电型碳化硅晶片的 电流加热装置，包括电源控制模块、测温单元、第 一电极、第二电极及托盘结构，托盘结构上设有 容置槽，第一、第二电极分别对应于托盘结构的 中心和边缘设置，且第一、第二电极分别电连接 于电源控制模块的正负极，测温单元设于托盘结 构的上方并电连接于电源控制模块，当容置槽内 容纳碳化硅晶片时，碳化硅晶片使第一、第二电 极导通从而形成加热电路，利用导电型碳化硅晶 片的内部电阻发热来实现热退火，并根据测温单 元的检测结果控制施加于第一、第二电极之间的 电压以调节加热温度，该电流加热装置的升、降 A 温