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发明

晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性

2023-07-06 11:04:42 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202110895353.2
  • 公开（公告）日：2025-03-11
  • 公开（公告）号：CN113832452A
  • 申请人：朗姆研究公司
摘要：本发明涉及晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性。一种用于减少膜沉积期间晶片滑移的方法包括：当晶片被支撑在升降销或承载环上时抽空处理室，以及将晶片降低到被配置为在膜沉积期间最小化晶片滑移的支撑构件上。诸如用于原子层沉积的处理室之类的多站处理室可以包括在每个站处的无卡盘基座，该每个站具有被配置为防止晶片移动离开中心超过400微米的晶片支撑件。为了最小化晶片下方的气垫，晶片支撑件可以在晶片的背面和基座的面向晶片的表面之间提供至少2密耳的间隙。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113832452 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202110895353.2 (51)Int.Cl. C23C 16/458 (2006.01) (22)申请日 2017.07.24 C23C 16/455 (2006.01) (30)优先权数据 15/217,345 2016.07.22 US (62)分案原申请数据 201710604907.2 2017.07.24 (71)申请人 朗姆研究公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 克洛伊 ·巴尔达赛罗尼　 艾德蒙 ·B ·明歇尔　 弗兰克 ·L ·帕斯夸里　 尚卡 ·斯瓦米纳森　 拉梅什 ·钱德拉赛卡兰　 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263 代理人 李献忠　张静 权利要求书2页 说明书13页 附图11页 (54)发明名称 晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角 厚度均匀性 (57)摘要 本发明涉及晶片在槽中居中以提高晶片边 缘的方位角厚度均匀性。一种用于减少膜沉积期 间晶片滑移的方法包括：当晶片被支撑在升降销 或承载环上时抽空处理室，以及将晶片降低到被 配置为在膜

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