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发明

一种c轴取向生长的SnSb2Te4热电薄膜及其制备方法

2023-07-03 10:05:06 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310163584.3
  • 公开（公告）日：2025-03-11
  • 公开（公告）号：CN116356271A
  • 申请人：河北大学
摘要：本发明提供了一种c轴取向生长的SnSb2Te4热电薄膜及其制备方法。本发明采用放电等离子体烧结技术制备SnSb2Te4多晶靶材，采用脉冲激光沉积技术在单晶基片上生长SnSb2Te4薄膜，通过调控基片温度、氩气压强、激光能量密度等参数，在单晶基片上沉积择优取向性好、结晶质量高的SnSb2Te4薄膜。通过本发明方法所制备的SnSb2Te4薄膜具有良好的热电性能，在热电薄膜器件和微区集成电子器件等领域具有广阔的应用前景。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116356271 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310163584.3 (22)申请日 2023.02.24 (71)申请人 河北大学 地址 071002 河北省保定市五四东路180号 (72)发明人 陈明敬　王淑芳　钱鑫　陈旭阳　 郭浩然　李志亮　方立德　 (74)专利代理机构 石家庄国域专利商标事务所 有限公司 13112 专利代理师 胡素梅 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种c轴取向生长的SnSb Te 热电薄膜及其 2 4 制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种c轴取向生长的SnSb Te 2 4 热电薄膜及其制备方法。本发明采用放电等离子 体烧结技术制备SnSb Te 多晶靶材，采用脉冲激 2 4 光沉积技术在单晶基片上生长SnSb Te 薄膜，通 2 4 过调控基片温度、氩气压强、激光能量密度等参 数，在单晶基片上沉积择优取向

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