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• 半导体功率器件的终端保护结构及其制造方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117253903A 申请号：CN202311218614.2
  发明 半导体功率器件的终端保护结构及其制造方法

  • 申请号：CN202311218614.2
  • 公开号：CN117253903A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：民华微（上海）电子科技有限公司

  本发明公开了一种半导体功率器件的终端保护结构，终端保护结构环绕在主结周侧并包括：多个场限环，由第二导电类型掺杂的第二注入区组成；在各场限环之间、最内侧的场限环和主结的第一注入区之间以及最外侧的场限环外侧都形成有由填充于第一沟槽中的介质层组成沟槽隔离结构。各场限环和第一外延层之间接触形成辅结；辅结的接触面为第一曲面；沟槽隔离结构从第一曲面的两侧对第一曲面进行限制，以降低第一曲面的面积、降低拐角角度和使第一曲面两侧的拐角位置位于第一外延层的顶部表面之下。本发明还提供一种半导体功率器件的终端保护结构的制造方法。本发明能提高终端保护结构的反向击穿电压。

  发布时间：2023-12-25 07:19:48

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• 一种硫包覆高导纳米复合材料、制备方法及铝离子电池 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117239074A 申请号：CN202311133000.4
  发明 一种硫包覆高导纳米复合材料、制备方法及铝离子电池

  • 申请号：CN202311133000.4
  • 公开号：CN117239074A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：中能鑫储（北京）科技有限公司

  本发明涉及一种硫包覆高导纳米复合材料、制备方法及铝离子电池，属于铝离子电池技术领域。所述复合材料由硫包覆在高导纳米材料外表面上形成，还包括硫进入高导纳米材料结构中的情况，所述复合材料中，硫的含量为所述高导纳米材料原子百分比的0.2％～3％。所述制备方法中，先对高导纳米材料进行酸处理；然后分别根据硫脲和硫粉的性能特点，通过先浸泡后煅烧或直接煅烧方法将硫包覆在高导纳米材料，制备得到所述复合材料。本发明通过将硫原子加入高导纳米复合材料中，以增加高导纳米复合材料的缺陷和活性位点，且进一步增强了电子电导率，使得高导纳米复合材料的储铝性能提高，从而提高了铝离子电池的容量。

  发布时间：2023-12-17 07:55:49

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• 一种电池正极铅膏及其制备方法和蓄电池 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117219768A 申请号：CN202311050669.7
  发明 一种电池正极铅膏及其制备方法和蓄电池

  • 申请号：CN202311050669.7
  • 公开号：CN117219768A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：广州埃登达化工有限公司

  本发明公开了一种电池正极铅膏及其制备方法和蓄电池，属于蓄电池技术领域。它包括将铅离子盐、高锰酸钾、氢氧化钠和有机配体溶于水和乙醇的混合溶剂中，搅拌溶液至均匀将混合溶液在70℃～90℃的温度下反应不超过10min；将分散液转移到200mL的聚四氟乙烯高压釜，密封后放置在一个100℃～120℃的烘箱中反应制备PbO2(cn)‑Pb‑MOF复合材料；再继续生长二氧化铅制备PbO2‑Pb‑MOF复合材料，再碳化得到碳化PbO2‑Pb‑MOF复合材料，所述碳化反应的温度为250℃～300℃；将碳化PbO2‑Pb‑MOF复合材料、铅粉、SnSO4、涤纶短纤维、硫酸和纯水混合得到所述正极铅膏。本发明能减少活性物质的脱落和正极铅膏的使用寿命，体现在铅蓄电池中则能够提高电池的极板放电容量和循环寿命。

  发布时间：2023-12-17 07:34:06

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• 衬底承载设备及其用途、真空工艺系统和方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117198849A 申请号：CN202310600236.8
  发明 衬底承载设备及其用途、真空工艺系统和方法

  • 申请号：CN202310600236.8
  • 公开号：CN117198849A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：冯·阿登纳资产股份有限公司

  衬底承载设备及其用途、真空工艺系统和方法。根据各种实施方式，衬底承载设备(3)包括：支承区域，借助于该支承区域可以可移动地支承衬底承载设备(3)；多个彼此电流分离的电极(4)；多个依次设置的衬底承载区域(104)，衬底承载区域(104)中的每一者具有：多个电极(4)中的一个电极(4)；和至少一个衬底接纳设备，该衬底接纳设备设计用于：接纳设置在衬底承载区域(104)中的衬底，优选地与电极(4)物理接触。

  发布时间：2023-12-17 07:11:11

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• 一种专用臭氧发生器高压连接器装置 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117175264A 申请号：CN202311366744.0
  发明 一种专用臭氧发生器高压连接器装置

  • 申请号：CN202311366744.0
  • 公开号：CN117175264A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：北京金大万翔环保科技有限公司

  本发明属于臭氧发生器高压电极技术领域，具体公开了一种专用臭氧发生器高压连接器装置，包括：软性导电排用于连接多个高压保险管；注胶盒的内部用于容纳高压保险管的部分和软性导电排，注胶盒与电源接线盒相连；压管件沿软性导电排的长度方向设置，压管件设置于注胶盒的内部；盖板装配在注胶盒的上端口并抵接压管件，以密封注胶盒及固定高压保险管；具有如下优点：通过在注胶盒腔体中注胶密封及注胶盒、电源接线盒材质选用保证了具有耐上万伏的高压、耐臭氧腐蚀等功能，软性导线并联连接高压保险管增强了过流保护、防水、均流、耐臭氧腐蚀等功能。实现了全封闭密封，即达到了耐高压的需要，又实现了防水功能，适用于臭氧发生器的使用需要。

  发布时间：2023-12-08 07:37:52

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• 一种尺寸兼容的晶圆缓存装置 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117116817A 申请号：CN202311228991.4
  发明 一种尺寸兼容的晶圆缓存装置

  • 申请号：CN202311228991.4
  • 公开号：CN117116817A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：上海广川科技有限公司

  本发明公开了一种尺寸兼容的晶圆缓存装置，包括M个承载支柱，且M个承载支柱均匀间隔分布以围成圆形，承载支柱朝向圆心的一侧沿着承载支柱的延伸方向设置有若干个晶圆支撑块15；M个直线导轨，一一对应位于所述承载支柱的端部，且所述直线导轨的一端位于承载支柱所围成的圆心位置处，另一端朝着圆形边缘延伸；驱动件，带动M个承载支柱沿着对应的直线导轨同步移动。本发明提供的一种尺寸兼容的晶圆缓存装置，通过调整承载支柱之间的距离使得承载支柱上的晶圆支撑块能够缓存不同尺寸的晶圆，本申请结构简单，尺寸调节快捷且精准，提高了不同尺寸晶圆缓存的效率和兼容性。

  发布时间：2023-11-27 07:25:16

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• 一种耐磨电缆及其电缆防护组件 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117116541A 申请号：CN202311182327.0
  发明 一种耐磨电缆及其电缆防护组件

  • 申请号：CN202311182327.0
  • 公开号：CN117116541A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：安徽天柱特种电缆有限公司

  本发明公开了一种耐磨电缆及其电缆防护组件，属于电缆耐磨组件领域，包括地下管道和敷设电缆，敷设电缆的外表面设置有防护组件，敷设电缆的外表面设置有防护组件，地下管道的内部设置有敷设辅助机构。本发明在将电缆敷设到地下管道前，将耐磨环套设于表面，通过耐磨滑块与地下管道之间的滑动，在敷设前期，通过耐磨滑块与地下管道之间滑动替代电缆直接与管道摩擦，期间带动封闭筒组合块贴合于电缆表面，对砂石进行驱赶，并在敷设后期，通过将多个耐磨环组合为一个整体形成完整的密封组件，对进入的电缆表面进行刮取，阻挡砂石，使得在地下管道内的电缆直接与耐磨环滑动，不与砂石接触，避免砂石摩擦电缆外表面，达到防护电缆外表面的效果。

  发布时间：2023-11-27 07:24:24

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• 基于高次模的双极化高增益贴片天线 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117096597A 申请号：CN202311101227.0
  发明 基于高次模的双极化高增益贴片天线

  • 申请号：CN202311101227.0
  • 公开号：CN117096597A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：华南理工大学

  本发明公开了一种基于高次模的双极化高增益贴片天线，包括第一、二介质基板，第一、二、三、四覆铜层和探针；第一介质基板位于第二介质基板上方，它们之间留有空气间隙；第一覆铜层设在第一介质基板上表面，其上设有贴片辐射结构；第二覆铜层设在第一介质基板的下表面，其上设有交叉桥结构；第三覆铜层设在第二介质基板上表面；第四覆铜层设在第二介质基板下表面，其上设有第一馈电网络和第二馈电网络，第一馈电网络和第二馈电网络为一对差分T型功分器，第一馈电网络和第二馈电网络通过探针将能量耦合至第一覆铜层辐射电磁波。本发明实现稳定对称的辐射激励效果，能够在3.4GHz‑3.6GHz的范围内稳定工作，且在通带内增益为11.5‑12.7dBi，效率为97.4‑99％。

  发布时间：2023-11-24 07:20:51

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• 一种低能高速扫描电子束成像系统 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117096004A 申请号：CN202310870743.3
  发明 一种低能高速扫描电子束成像系统

  • 申请号：CN202310870743.3
  • 公开号：CN117096004A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：无锡亘芯悦科技有限公司

  本发明公开了一种低能高速扫描电子束成像系统，属于扫描电子束成像设备领域。所述系统通过合理设计静电正压电极筒与浸没式电磁复合物镜对电子束的作用方式，解决低能成像分辨率低的问题；在物镜极靴下方与样品台之间设计静电扫描电极，以及在镜筒内部合理的设计电子束偏转装置，实现高速扫描偏转；同时在电子束成像系统中设计电子束对中调节系统，在实现低能电子束高分辨成像、高速扫描、大视场成像的前提下，同时可以使扫描电子束成像系统的轴外像差以及偏转像差得到优化，从而得到最佳分辨率。

  发布时间：2023-11-24 07:16:38

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• 一种掩埋异质结激光器制备方法 公开日期：2024-10-29 公开号：CN117013366A 申请号：CN202310959666.9
  发明 一种掩埋异质结激光器制备方法

  • 申请号：CN202310959666.9
  • 公开号：CN117013366A
  • 公开日期：2024-10-29
  • 申请人：武汉云岭光电股份有限公司

  本发明涉及一种掩埋异质结激光器制备方法，包括S1，于衬底上依次生长InP缓冲层和光栅层，接着进行光栅制作，并整面生长光栅掩埋层、有源层、InP层以及牺牲层，S2，接着生长波导掩膜层，S3，将波导掩膜层以外区域刻蚀到InP缓冲层，再将波导掩膜层以外区域腐蚀到衬底，S4，接着依托波导掩膜层进行P型InP的掩埋生长；S5，去掉波导掩膜层下牺牲层两侧的部分材料；S6，再进行N型InP的掩埋生长，其中N型InP的生长会填充两侧腐蚀掉的牺牲层；S7，去掉波导掩膜层和牺牲层，整面生长P型盖层和接触层，完成掩埋异质结电流阻挡层的制作。本发明一方面能调节载流子注入密度，另一方面能形成高耸有效的电流限制层，减少漏电，提高激光器的电流注入效率。

  发布时间：2023-11-11 07:21:34

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