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发明

一种低温溶液法生长SiC晶体的方法

2023-05-28 11:41:39 发布于四川 17
  • 申请专利号：CN202211106371.9
  • 公开（公告）日：2025-05-23
  • 公开（公告）号：CN116145258A
  • 申请人：昆明理工大学|||北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要：本发明涉及一种低温溶液法生长SiC晶体的方法，属于晶体生长技术领域。将高纯硅、金属Fe或Cr、稀土金属混合后进行合金化熔炼，熔炼时间5‑30min得到成分均匀的Si‑Me‑RE合金；将Si‑Me‑RE合金装入到晶体生长炉中的高纯致密石墨坩埚或SiC坩埚中，在熔炼温度高于1823K以上保温至少1小时，使C或SiC往高温熔体中溶解得到SiC饱和的Si‑Me‑RE‑C熔体；在SiC饱和的Si‑Me‑RE‑C熔体进行溶液法生长SiC单晶或多晶SiC。本发明提供的低温溶液法生长SiC晶体的方法解决了溶液法生长SiC晶体时C或SiC溶解度低的问题，可在低温下（比现有的PVT方法低至少400K）大幅度提高Si熔体中C或SiC的溶解度，是一种低能耗、低成本、高效率、无污染的生长SiC晶体的方法。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116145258 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202211106371.9 C30B 27/02 (2006.01) C30B 28/10 (2006.01) (22)申请日 2022.09.11 C30B 28/06 (2006.01) (71)申请人 昆明理工大学 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路 253号 申请人 北京青禾晶元半导体科技有限责任 公司 (72)发明人 雷云　邓幻　雷敏鹏　李鹏　 马文会　母凤文　郭超　 (74)专利代理机构 昆明明润知识产权代理事务 所(普通合伙) 53215 专利代理师 张云 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 27/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种低温溶液法生长SiC晶体的方法 (57)摘要 本发明涉及一种低温溶液法生长SiC晶体的 方法，属于晶体生长技术领域。将高纯硅、金属Fe 或Cr、稀土金属混合后进行合金化熔炼，熔炼时 间5‑30min得到成分均匀的Si‑Me‑RE合金；将Si

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