1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法

2023-05-15 09:25:23 发布于四川 10
  • 申请专利号：CN202211691933.0
  • 公开（公告）日：2025-07-01
  • 公开（公告）号：CN116024658A
  • 申请人：北京工业大学
摘要：本发明公开了一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法，用五氧化二钽粉末和氧化钨粉末混合烧制的靶材作为原料，采用脉冲激光沉积方法在钇稳定的氧化锆(YSZ)单晶衬底上制备得到钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄。本发明的钨掺杂六方相五氧化二钽薄膜是具有单晶结构的外延材料，该薄膜材料具有良好的半导体电学性质，并且单晶质量高、稳定性好。可用于透明半导体器件和紫外光电探测器等领域。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116024658 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202211691933.0 (22)申请日 2022.12.27 (71)申请人 北京工业大学 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号 (72)发明人 马啸尘　 (74)专利代理机构 北京思海天达知识产权代理 有限公司 11203 专利代理师 王兆波 (51)Int.Cl. C30B 29/16 (2006.01) C30B 29/64 (2006.01) C30B 23/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及 其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种钨掺杂六方相五氧化二 钽单晶薄膜及其制备方法，用五氧化二钽粉末和 氧化钨粉末混合烧制的靶材作为原料，采用脉冲 激光沉积方法在钇稳定的氧化锆(YSZ)单晶衬底 上制备得到钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄。本 发明的钨掺杂六方相五氧化二钽薄膜是具有单 晶结构的外延材料，该薄膜材料具有良好的半导 体电学性质，并且单晶质量高、稳定性好。可用于 透明半导体器件和紫外光电探测器等领域。 A 8 5 6 4 2 0 6 1 1 N C CN 116024658 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.

最新专利

相关专利