溶液法生长SiC单晶的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116121870 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202211356676.5 (22)申请日 2022.11.01 (71)申请人 中国科学院物理研究所 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8 号 (72)发明人 陈小龙　王国宾　郭建刚　李辉　 王文军　盛达　 (74)专利代理机构 北京泛华伟业知识产权代理 有限公司 11280 专利代理师 郭广迅 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 15/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 溶液法生长SiC单晶的方法 (57)摘要 一种溶液法生长SiC单晶的方法，包括 ：(1) 将原料块置于坩埚底部，并且将助熔剂置于原料 块的上方 ；其中所述原料块的组成满足Si和C的 摩尔比为1:1；(2)将坩埚置于生长炉中，将SiC籽 晶固定在坩埚上方的提拉杆上，然后对所述生长 炉抽真空；(3)通入功能性气体以控制生长炉内 的气压，然后加热坩埚使得所述助熔剂完全熔化 以形成助熔剂熔体并且使所述助熔剂处于特定 的温场；(4)下推所述提拉杆使得所述籽晶与助 熔剂熔体接触，并且对所述籽晶和坩埚进行旋转 和提拉以及动态调整热源、坩埚及籽晶之间的相 对位置，使得晶体生长界面、助熔剂熔体、原料块 A 上表面之间的相对位置和温度保持不变。本发明 0