一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113122917 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110550502.1 (22)申请日 2021.05.20 (71)申请人 宁波恒普真空技术有限公司 地址 315300 浙江省宁波市慈溪市高新技 术产业开发新兴一路365号 (72)发明人 刘鹏　徐文立　潘建栋　袁晓芸　 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 代理人 张德才 (51)Int.Cl. C30B 23/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶 生长装置 (57)摘要 本发明公开一种用于制备碳化硅晶体的石 墨热场单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及 晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温 结构、调温结构、坩埚和测温机构；保温结构设于 密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构 设于密封腔上；调温结构设于保温结构内，坩埚 和籽晶托设于保温结构内；加热结构对坩埚底部 和顶部加热，对坩埚的轴向和径向进行温度控 制，测温机构分别测量坩埚顶部和底部的温度， 保温结构对整个腔体的热场进行保温，还能减少 坩埚的热量散失，实现对坩埚各部分的温度精确 A 控制，调温结构能降低坩埚的径向温度梯度；从 7 而减小碳化硅单晶生长过程中晶体的径向温度 1 9 2 梯度和应力梯度，可降低晶体生长的缺陷，保证 2 1