一种高质量碳化硅单晶衬底、其制备方法及检测方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115976642 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211728462.6 C30B 23/00 (2006.01) G01N 21/95 (2006.01) (22)申请日 2022.12.29 (71)申请人 北京天科合达半导体股份有限公司 地址 102600 北京市大兴区中关村科技园 区大兴生物医药产业基地天荣大街9 号2幢301室 申请人 江苏天科合达半导体有限公司　 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 (72)发明人 刘春俊　雍庆　娄艳芳　姚静　 王光明　彭同华　杨建　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 张雪娇 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 一种高质量碳化硅单晶衬底、其制备方法及 检测方法 (57)摘要 本发明提供了一种高质量碳化硅单晶衬底， 所述高质量碳化硅单晶衬底在显微镜暗场模式 下观察，且所述观察是在10倍物镜及以上放大倍 ‑2 数状态，亮点的密度小于10cm 。与现有技术相 比，本发明提供的碳化硅单晶制