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发明

光学级的钒补偿的4H单晶和6H单晶，以及碳化硅晶体和用于生产其的方法

2023-06-23 07:24:35 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202110232966.8
  • 公开（公告）日：2025-05-09
  • 公开（公告）号：CN113337891A
  • 申请人：II-VI先进材料有限责任公司
摘要：一种光学装置，包含钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型SiC单晶，所述SiC单晶用于透射波长在420nm至4.5μm范围内的光。所述装置可以包括窗、透镜、棱镜、或波导。一种系统，包括用于产生波长在420nm至4.5μm范围内的光的源和用于接收和透射所述光的装置，其中所述装置包含钒补偿的高电阻率的6H多型或4H多型SiC单晶。本公开内容还涉及用于光学应用的晶体和方法，所述晶体包含铝掺杂的碳化硅晶体，所述铝掺杂的碳化硅晶体具有残留的氮和硼杂质，其中铝浓度大于氮和硼的组合浓度，以及其中在约400nm至约800nm的波长下的光吸收系数小于约0.4cm‑1。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113337891 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110232966.8 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) (22)申请日 2021.03.02 C30B 23/02 (2006.01) (30)优先权数据 C30B 29/66 (2006.01) 62/984,177 2020.03.02 US G02B 1/02 (2006.01) 17/029,746 2020.09.23 US (71)申请人 II-VI特拉华有限公司 地址 美国特拉华州 (72)发明人 伊利亚 ·茨维巴克　 瓦拉他拉扬 ·伦加拉扬　 安德鲁 ·N ·苏齐兹　 加里 ·E ·鲁兰　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 蔡胜有　孙雅雯 权利要求书3页 说明书13页 附图8页 (54)发明名称

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