一种挤出切割设备
- 申请专利号:CN202223038959.3
- 公开(公告)日:2023-03-17
- 公开(公告)号:CN218640077U
- 申请人:四川澳彩高分子材料有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218640077 U (45)授权公告日 2023.03.17 (21)申请号 202223038959.3 (22)申请日 2022.11.15 (73)专利权人 四川澳彩高分子材料有限公司 地址 641100 四川省内江市东兴区栖霞路 890号商铺222号 (72)发明人 王勇 魏彬 (74)专利代理机构 台州天祺专利代理事务所 (普通合伙) 33331 专利代理师 王天清 (51)Int.Cl. B29B 9/06 (2006.01) B29B 13/10 (2006.01) B26D 7/08 (2006.01) B26D 1/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)实用新型名称 一种挤出切割设备 (57)摘要 本实用新型提供了一种挤出切割设备,包括 挤出装置、设置于挤出装置的出模盘、抵触于出 模盘的切割装置,还包括冷却装置,冷却装置包 括冷却管以及冷却喷头,冷却管固定于挤出装 置,冷却管的进水端连接外界水源,冷却管的出 水端位于刀盘远离出模盘一侧,冷却喷头连接于 冷却管的出水端,且冷却喷头朝向切割刀片。使 用时,通过外部水源向冷却管中注入冷却水,使 得冷却水经由冷却喷头喷出,用以对条状塑料进 行进一步冷却,如此经切割得到的塑料颗粒不易 附着在切割刀片的表面,不易影响切割装置的切 割效果,不易降低塑料颗粒的生产效率。而且经 U 进一步冷却的塑料颗粒,
最新专利
- 氮化铝晶体的扩径公开日期:2025-05-13公开号:CN114667371A申请号:CN202080069543.2氮化铝晶体的扩径
- 发布时间:2023-05-14 11:54:540
- 申请号:CN202080069543.2
- 公开号:CN114667371A
- 一种基于色胺离子的一维杂化钙钛矿单晶和压片、制备方法及在制备X射线成像板中的应用公开日期:2025-05-13公开号:CN116005246A申请号:CN202310000080.X一种基于色胺离子的一维杂化钙钛矿单晶和压片、制备方法及在制备X射线成像板中的应用
- 发布时间:2023-05-17 10:18:140
- 申请号:CN202310000080.X
- 公开号:CN116005246A
- GaN基板晶片及其制造方法公开日期:2025-05-13公开号:CN113906170A申请号:CN202080040339.8GaN基板晶片及其制造方法
- 发布时间:2023-04-22 08:55:390
- 申请号:CN202080040339.8
- 公开号:CN113906170A
- 一种基于密封双金属腔控制激光器晶体温度的洁净炉装置公开日期:2025-05-13公开号:CN115747972A申请号:CN202211502346.2一种基于密封双金属腔控制激光器晶体温度的洁净炉装置
- 发布时间:2023-06-07 22:13:460
- 申请号:CN202211502346.2
- 公开号:CN115747972A
- 一种快速生长双层石墨烯单晶的方法公开日期:2025-05-13公开号:CN115726033A申请号:CN202111011430.X一种快速生长双层石墨烯单晶的方法
- 发布时间:2023-06-09 07:18:170
- 申请号:CN202111011430.X
- 公开号:CN115726033A
- 一种取晶设备及取晶方法公开日期:2025-05-09公开号:CN117187965A申请号:CN202311165846.6一种取晶设备及取晶方法
- 发布时间:2023-12-17 07:15:560
- 申请号:CN202311165846.6
- 公开号:CN117187965A