PCT发明

GaN基板晶片及其制造方法

2023-04-22 08:55:39 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202080040339.8
  • 公开(公告)日:2025-05-13
  • 公开(公告)号:CN113906170A
  • 申请人:三菱化学株式会社
摘要:本发明提供可优选用于具有卧式器件结构的氮化物半导体器件的制造、具有得到了改善的生产性的GaN基板晶片。该GaN基板晶片为发生了(0001)取向的GaN基板晶片,其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的具有最小厚度的第二区域,其中,该第二区域的最小厚度为20μm以上,在该第二区域的至少一部分中,补偿杂质的总浓度为1×1017atoms/cm3以上。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113906170 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202080040339.8 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 (22)申请日 2020.05.28 代理人 杨薇 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-101184 2019.05.30 JP C30B 29/40 (2006.01) 2019-113570 2019.06.19 JP C30B 25/18 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 29/06 (2006.01) 2021.11.30 H01L 29/66 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 29/778 (2006.01) PCT/JP2020/021133 2020.

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