一种快速生长双层石墨烯单晶的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115726033 A (43)申请公布日 2023.03.03 (21)申请号 202111011430.X (22)申请日 2021.08.31 (71)申请人 复旦大学 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 (72)发明人 孙正宗　巩鹏　唐灿　 (74)专利代理机构 上海德昭知识产权代理有限 公司 31204 专利代理师 郁旦蓉 (51)Int.Cl. C30B 29/02 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) C30B 33/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种快速生长双层石墨烯单晶的方法 (57)摘要 本发明提供了一种快速生长双层石墨烯单 晶的方法，包括以下步骤：步骤1，把催化剂和抛 光处理后的铜箔放入两个石英舟并置于石英管 内，石英管外部有加热套和管式炉，将催化剂置 于加热套中心，铜箔置于管式炉中央，打开连接 石英管的真空泵，对加热套和管式炉进行升温， 直到压强降低至预设压强；步骤2，在真空中对铜 箔退火处理；步骤3，向石英管中通入氢气和二氧 化碳，并迅速调节压力，在催化剂作用下反应生 成甲烷、一氧化碳和水，甲烷作为直接碳源，在含 氧刻蚀性组分中在铜箔上生长得到双层石墨烯 单晶；步骤4，将铜箔从管式炉中央移出，通入氢 A 气并在设定压力中迅速降温；步骤5，取出降温至 3