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氮化铝晶体的扩径

2023-05-14 11:54:54 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202080069543.2
  • 公开(公告)日:2025-05-13
  • 公开(公告)号:CN114667371A
  • 申请人:晶化成半导体公司
摘要:在各种实施例中,氮化铝单晶在生长过程中快速扩径并且具有较大的晶体增强参数。氮化铝单晶可以具有较大的晶锭质量和体积。氮化铝单晶可以在增强的径向热梯度下从气相生长,实现较高的扩径率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114667371 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202080069543.2 (74)专利代理机构 南京苏创专利代理事务所 (普通合伙) 32273 (22)申请日 2020.08.12 专利代理师 王华 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/887,033 2019.08.15 US C30B 29/40 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 23/00 (2006.01) 2022.04.02 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2020/045859 2020.08.12 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/030394 EN 2021.02.18 (71)申请人 晶化成半导体公司 地址 美国纽约市 (72)发明人 R ·邦德克夫 T ·米巴赫 陈贱峰  铃木崇志 L ·J ·邵瓦尔特 

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