一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116180223 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310020001.1 (22)申请日 2023.01.06 (71)申请人 宁波恒普真空科技股份有限公司 地址 315300 浙江省宁波市慈溪高新技术 产业开发区新兴一路365号 (72)发明人 刘鹏　徐文立　沈磊　 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 郑粟文 (51)Int.Cl. C30B 25/16 (2006.01) C30B 25/10 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) C23C 16/46 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立 式成膜装置 (57)摘要 本发明公开一种可稳定控温改善晶片生长 均匀性的立式成膜装置，包括反应腔室、多区域 控温机构和特定点位，反应腔室内热场分为上、 下两部分，分别用于过程气体预热和晶片加热， 且均为多区分布热场，成膜装置顶部至少安装有 两个测温元件，成膜工艺过程中监测晶片中心和 边缘温度，反馈至控制系统，实现下炉体热场的 温控输出。下炉体热场靠近基座发热体辅助加热 晶片，上炉体热场靠近进气室，由进气室处热电 偶反馈温度数据控制输出功率，晶片成膜至一定 膜厚维持原先热场输出功率，避免由于薄膜干涉 A 产生温度变