一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116024664 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202211663903.9 (22)申请日 2022.12.21 (71)申请人 北京天科合达半导体股份有限公司 地址 102600 北京市大兴区中关村科技园 区大兴生物医药产业基地天荣大街9 号2幢301室 (72)发明人 刘春俊　眭旭　郭钰　彭同华　 杨建　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 吴晓静 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种大尺寸碳化硅衬底，所述 碳化硅衬底的厚度小于400微米，弯曲度bow值不 大于‑1微米，且满足Y＝‑A/X，其中，X为厚度，Y为 弯曲度bow值，A为300～8000，warp值不大于bow 值绝对值的3倍。与现有技术相比，本发明一方面 可提供更薄厚度的衬底，从而增加同等厚度SiC 晶体产出晶片的数量，降低成本；另一方面，通过 特定的几何外形及结晶的原子面弯曲保证下游 外延、器件对晶片制作过程中的要求 ；第三方面 提供低厚度衬底同时外形翘曲变化可以满足整 个产业链的要求，也极大降低器件环节的减薄成 本。 A 4 6 6 4 2 0 6 1 1 N