一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115976644 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211646481.4 (22)申请日 2022.12.21 (71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物 理研究所 地址 130033 吉林省长春市经济技术开发 区东南湖大路3888号 (72)发明人 孙晓娟　吕炳辰　陈洋　张山丽　 贲建伟　蒋科　黎大兵　 (74)专利代理机构 深圳市科进知识产权代理事 务所(普通合伙) 44316 专利代理师 张俊锋 (51)Int.Cl. C30B 29/40 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华 外延方法 (57)摘要 本发明提供一种非晶衬底上高质量AlGaN材 料的范德华外延方法，属于半导体技术领域。本 发明的方法包括以下步骤：在非晶衬底上转移第 一二维材料层并进行处理；在处理后的第一二维 材料层上转移第二二维材料层并进行氢化钝化 处理；通过范德华外延生长在第一二维材料层和 第二二维材料层之间形成二维AlGaN材料预制 层；通过同质范德华外延生长，采用两步法生长 在第二二维材料层上形成三维AlGaN材料薄膜。 本发明采用两层二维材料进一步缓解非