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发明

稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用

2023-06-07 22:58:57 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202211337263.2
  • 公开（公告）日：2025-03-11
  • 公开（公告）号：CN115787060A
  • 申请人：山东大学
摘要：本发明涉及稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用，以NiO、R2O3为原料，R为稀土元素，采用碱助熔剂体系充入氧气条件下进行晶体生长，先升温至400‑500℃使原料充分熔化，然后降温至生长温度使晶体生长，氧气压力范围为5‑300bar，生长温度为150‑450℃，生长结束后得到稀土钙钛矿镍氧化合物RNiO3晶体。本发明利用碱助熔剂体系，将RNiO3晶体生长温度降至500℃以下，所需氧压降至300bar以下，大大减小生长过程中的危险性，提高了晶体尺寸，在更低条件下得到了相对更大尺寸的RNiO3晶体，晶体尺寸可达45‑60μm。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115787060 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211337263.2 (22)申请日 2022.10.28 (71)申请人 山东大学 地址 250199 山东省济南市历城区山大南 路27号 (72)发明人 张俊杰　汪晓黎　陶绪堂　刘超　 范传彦　韩璐　李飞宇　 (74)专利代理机构 济南金迪知识产权代理有限 公司 37219 专利代理师 陈桂玲 (51)Int.Cl. C30B 9/12 (2006.01) C30B 29/24 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图9页 (54)发明名称 稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶 体生长及应用 (57)摘要 本发明涉及稀土钙钛矿镍氧化合物高气压 助熔剂法晶体生长及应用，以NiO、R O 为原料，R 2 3 为稀土元素，采用碱助熔剂体系充入氧气条件下 进行晶体生长，先升温至400‑500℃使原料充分 熔化，然后降温至生长温度使晶体生长，氧气压 力范围为5‑300bar，生长温度为150‑450℃，生长 结束后得到稀土钙钛矿镍氧化合物RNiO 晶体。 3 本发明利用碱助熔剂体系，将RNiO 晶体生长温 3 度

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