发明

一种周期极化KTP晶体制备方法

2023-05-16 08:47:43 发布于四川 7
  • 申请专利号:CN202310300328.4
  • 公开(公告)日:2023-06-02
  • 公开(公告)号:CN116005268A
  • 申请人:济南量子技术研究院
摘要:本发明提出了一种周期极化KTP晶体制备方法,涉及非线性光学晶体制备技术领域,取KTP晶体测试片,在KTP晶体测试片双面制备电极,在KTP晶体测试片的双面电极上施加脉冲高压,测量实时电流和实时电阻率,在需要极化的KTP晶体正面制备周期性电极,计算出需要极化的面积,在KTP晶体正式片的双面电极上施加极化电压;在每个极化脉冲结束后,判断极化是否完成,通过判断实时的电荷量转移量,对离子电流和极化电流进行分离,获得实时的极化反转进度,从而判断极化是否完成。采用本发明的周期极化KTP晶体制备方法,可以准确地控制极化过程,获得高品质的PPKTP晶体。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116005268 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202310300328.4 (22)申请日 2023.03.27 (71)申请人 济南量子技术研究院 地址 250101 山东省济南市高新区舜华路 747号 (72)发明人 王东周 宋于坤 桑元华  (74)专利代理机构 天津合正知识产权代理有限 公司 12229 专利代理师 李成运 (51)Int.Cl. C30B 33/04 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01) G01N 27/04 (2006.01) C30B 29/22 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种周期极化KTP晶体制备方法 (57)摘要 本发明提出了一种周期极化KTP晶体制备方 法,涉及非线性光学晶体制备技术领域,取KTP晶 体测试片,在KTP晶体测试片双面制备电极,在 KTP晶体测试片的双面电极上施加脉冲高压,测 量实时电流和实时电阻率,在需要极化的KTP晶 体正面制备周期性电极,计算出需要极化的面 积,在KTP晶体正式片的双面电极上施加极化电 压;在每个极化脉冲结束后,判断极化是否完成, 通过判断实时的电荷量转移量,对离子电流和极 化电流进行分离,获得实时的极化反转进度,从 而判断极化是否完成。采用本发明的周期极化 KTP晶体制备方法,可以准确地控制极化过程,获 A

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