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发明

一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法

2023-07-21 07:12:32 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310291059.X
  • 公开（公告）日：2025-05-02
  • 公开（公告）号：CN116445886A
  • 申请人：浙江桦茂科技有限公司
摘要：本发明公开了一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法，以经过预处理的单晶硅片为衬底，利用热丝化学气相沉积法在衬底的一侧依次沉积微米金刚石层、金刚石过渡层和纳米金刚石层，然后采用离子注入的方法，在纳米金刚石层中注入施主杂质离子，经真空退火、清洗及干燥，即得。本发明通过材料选择、结构优化及工艺控制，使各层之间优势互补，消减内应力，提高涂层与基体、涂层间的结合强度，进而提高金刚石复合涂层的机械性能；在金刚石涂层中引入杂质元素，在尽量减少金刚石晶格畸变的情况下，增加了材料的机械性能和沉积速度，并使涂层具有较高的霍尔迁移率和载流子浓度。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116445886 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202310291059.X (22)申请日 2023.03.23 (71)申请人 浙江桦茂科技有限公司 地址 324400 浙江省衢州市龙游县模环乡 浙江龙游经济开发区北斗大道12号4 号车间 (72)发明人 余国旭　薄一恒　徐如颜　 (74)专利代理机构 浙江维创盈嘉专利代理有限 公司 33477 专利代理师 郑嘉 (51)Int.Cl. C23C 16/27 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 14/48 (2006.01) C23C 16/56 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 (54)发明名称 一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法 (57)摘要 本发明公开了一种稳定快速沉积CVD金刚石 的方法，以经过预处理的单晶硅片为衬底，利用 热丝化学气相沉积法在衬底的一侧依次沉积微 米金刚石层、金刚石过渡层和纳米金刚石层，然 后采用离子注入的方法，在纳米金刚石层中注入 施主杂质离子，经真空退火、清洗及干燥，即得。 本发明通过材料选择、结构优化及工艺控制，使 各层之间优势互补，消减内应力，提高涂层与基 体、涂层间的结合强度，进而提高金刚石复合涂 层的机械性能 ；在金刚石涂层中引入杂质元素， 在尽量减少金刚石晶格畸变的情况下

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