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发明

SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法2025

2024-04-07 07:26:45 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202311765621.4
  • 公开（公告）日：2025-05-27
  • 公开（公告）号：CN117821932A
  • 申请人：吉盛微（武汉）新材料科技有限公司
摘要：本发明提供了一种高纯度SiC粉体的制备装置和高纯度SiC粉体的制备方法，本发明首先在立式生长炉的内部顶端装载纳米级SiC粉体作为籽晶，其次，将立式生长炉的上部腔体的温度加热至生长温度，再次，通过第一气体预备室将第一载气和/或物料气体通入至上部腔体中，再次，通过第二载气将籽晶吹落至反应腔室中，籽晶受向上运动气流的作用悬浮在反应腔室中，物料气体在高温下发生化学反应，并以籽晶为形核中心异相形核成高纯度的毫米级SiC粉体，最终，通过粉体收集器收集上述毫米级SiC粉体，通过上述方法制备的碳化硅粉体纯度高、粒径均匀，可以用来制备高质量的半绝缘SiC单晶。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117821932 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202311765621.4 (22)申请日 2023.12.20 (71)申请人 吉盛微（武汉）新材料科技有限公司 地址 430200 湖北省武汉市经济技术开发 区综合保税区25MC地块加工贸易工业 园7栋701室 (72)发明人 贾瑞涛　刘宁宁　 (74)专利代理机构 武汉智嘉联合知识产权代理 事务所(普通合伙) 42231 专利代理师 张杰 (51)Int.Cl. C23C 16/32 (2006.01) C01B 32/963 (2017.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种高纯度SiC粉体的制备装 置和高纯度SiC粉体的制备方法，本发明首先在 立式生长炉的内部顶端装载纳米级SiC粉体作为 籽晶，其次，将立式生长炉的上部腔体的温度加 热至生长温度，再次，通过第一气体预备室将第 一载气和/或物料气体通入至上部腔体中，再次， 通过第二载气将籽晶吹落至反应腔室中，籽晶受 向上运动气流的作用悬浮在反应腔室中，物料气 体在高温下发生化学反应，并以籽晶为形核中心 异相形核成高纯度的毫米级SiC粉体

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