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发明

一种高sp3C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法

2023-07-03 10:03:02 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202211624290.8
  • 公开（公告）日：2025-05-27
  • 公开（公告）号：CN116356278A
  • 申请人：广州今泰科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种高sp3C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法，步骤包括将表面经过处理后的导电金属工件置于真空镀膜装置的真空室中，真空室内安装了至少一个磁控靶阴极和至少一个离化源电极，采用等离子体对导电金属工件的表面进行刻蚀活化；采用磁控溅射的方式先沉积靶材Me层，然后沉积靶材Me与C混合的含碳梯度层Me/C层，从而形成Me‑Me/C过渡层；采用至少一个离化源电极在Me‑Me/C过渡层上制备厚度为1～6微米的含氢碳基涂层，得到高sp3C含量的含氢碳基薄膜。采用本发明方法制得的高sp3C含量的含氢碳基薄膜的生长速率达到100～150nm/min，含氢碳基涂层的sp3C体积含量超过45％。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116356278 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202211624290.8 C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) (22)申请日 2022.12.16 H01J 37/34 (2006.01) (71)申请人 广州今泰科技股份有限公司 地址 510000 广东省广州市经济技术开发 区骏功路22号之一（1）栋201自编1号 (72)发明人 苏东艺　 (74)专利代理机构 广州凯东知识产权代理有限 公司 44259 专利代理师 江镜立 (51)Int.Cl. C23C 16/02 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C23C 16/517 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/16 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 3 一种高sp C含量的含氢碳基薄膜及其制备 方法 (57)摘要 3

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