一种N型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114574947 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210211940.X (22)申请日 2022.03.04 (71)申请人 中锗科技有限公司 地址 211299 江苏省南京市溧水开发区中 兴东路9号 (72)发明人 陆海凤　柯尊斌　李忠泉　 (74)专利代理机构 南京中律知识产权代理事务 所(普通合伙) 32341 专利代理师 李建芳 (51)Int.Cl. C30B 15/04 (2006.01) C30B 15/36 (2006.01) C30B 29/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种N型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及 方法 (57)摘要 本发明公开了一种N型重掺锗单晶生长磷元 素掺杂装置及方法，N型重掺锗单晶生长磷元掺 杂装置，包括锗籽晶、锗铣磨片和锗盖板；锗籽晶 包括支撑杆和支撑台，支撑杆垂直连接在支撑台 顶部中央位置，支撑杆的直径小于支撑台的直 径；锗铣磨片为锅形，锗铣磨片开口向上地设置， 锗盖板活动盖设在锗铣磨片上；锗铣磨片底部中 央设有第一通孔，锗盖板中央设有第二通孔，第 一通孔的孔径小于支撑台的直径，支撑杆顶部依 次穿过第一通孔和第二通孔后，锗铣磨片外侧底 部落在支撑台上；锗籽晶、锗铣磨片和锗盖板所 A 用材质均为锗，锗铣磨片内侧填充有红磷。本发 7 明红磷挥发量少，实现了红磷的一次性大