发明

静态随机存取存储器结构

2023-05-05 09:12:19 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111525681.X
  • 公开(公告)日:2025-06-17
  • 公开(公告)号:CN114220467A
  • 申请人:复旦大学|||上海集成电路制造创新中心有限公司
摘要:本发明提供了一种静态随机存取存储器结构,包括多个呈阵列分布的晶体管单元,同一列相邻两个晶体管单元镜像设置,一列所述晶体管单元中的第一个所述晶体管单元或第二个所述晶体管包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第二共栅互补场效应晶体管、沿第二方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管和第二传输管,同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第一传输管堆叠设置且共栅,同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第二传输管堆叠设置且共栅,所述第一方向和所述第二方向均平行于所述列的方向,传输管的堆叠设置且共栅减少了阵列面积,提高了电路的集成度,并降低了制造成本。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220467 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111525681.X (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人 复旦大学 地址 200433 上海市浦东新区张衡路825号 申请人 上海集成电路制造创新中心有限公 司 (72)发明人 丁荣正 俞少峰 朱小娜 朱宝  尹睿  (74)专利代理机构 上海恒锐佳知识产权代理事 务所(普通合伙) 31286 代理人 黄海霞 (51)Int.Cl. G11C 11/413 (2006.01) G11C 11/417 (2006.01) G11C 11/41 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 静态随机存取存储器结构 (57)摘要 本发明提供了一种静态随机存取存储器结 构,包括多个呈阵列分布的晶体管单元,同一列 相邻两个晶体管单元镜像设置,一列所述晶体管 单元中的第一个所述晶体管单元或第二个所述 晶体管包括沿第一方向依次设置的第一传输管 和第二共栅互补场效应晶体管、沿第二方向依次 设置的第一共栅互补场效应晶体管和第二传输 管,同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第一 传输管堆叠设置且共栅,同一列所述晶体管单元 中相邻两个所述第二传输管堆叠设置且共栅,所 述第一方向和所述第二方向均平行于所述列的 方向,传

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