记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113851162 A (43)申请公布日 2021.12.28 (21)申请号 202110210088.X (22)申请日 2021.02.24 (30)优先权数据 17/085,287 2020.10.30 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力 行六路八号 (72)发明人 藤原英弘　丘奕勋　王奕　 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 徐金国 (51)Int.Cl. G11C 11/408 (2006.01) G11C 11/4094 (2006.01) 权利要求书2页 说明书15页 附图10页 (54)发明名称 记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记 忆体阵列 (57)摘要 一种记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列 与记忆体阵列，记忆体装置包括记忆体阵列，记 忆体阵列具有：记忆体阵列的第一列中的第一记 忆体单元；记忆体阵列的第一列中的第二记忆体 单元；第一读取位元线，在列方向上延伸且连接 至第一记忆体单元以自第一记忆体单元读取数 据；及第二读取位元线，在列方向上延伸且连接 至第二记忆体单元以自第二记忆体单元读取数 据。 A 2 6 1 1 5 8 3 1 1 N C CN 113851162 A 权　利　要　求　书