发明

非挥发性存储器的擦除方法和装置

2023-06-29 07:12:37 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310257978.5
  • 公开(公告)日:2025-07-08
  • 公开(公告)号:CN116343881A
  • 申请人:普冉半导体(上海)股份有限公司
摘要:本发明公开了一种非挥发性存储器的擦除方法,包括:步骤一、对选定擦除块进行预验证和预编程。步骤二、记录完成步骤一的第一流程时间。步骤三、完成擦除过程步骤。步骤四、根据第一流程时间动态设定修复区间,第一流程时间越长修复区间越小,反之亦然。步骤五、对修复区间中受擦除干扰区域内的各存储单元进行修复,完成修复操作的时间为第二修复时间,第一流程时间和第二修复时间的和为第三时间。步骤六、擦除流程结束,完成擦除流程的时间为第四流程时间。修复区间的动态设置使第三时间的变化范围减少并从而使第四流程时间的变化范围减少。本发明还提供一种非挥发性存储器的擦除装置。本发明能减少擦除时间的变化范围,提高存储单元的可靠性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116343881 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310257978.5 (22)申请日 2023.03.16 (71)申请人 普冉半导体(上海)股份有限公司 地址 201210 上海市浦东新区中国 (上海) 自由贸易试验区申江路5005弄1号9层 整层(实际楼层8楼) (72)发明人 汪齐方  (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 专利代理师 郭四华 (51)Int.Cl. G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/14 (2006.01) 权利要求书3页 说明书10页 附图5页 (54)发明名称 非挥发性存储器的擦除方法和装置 (57)摘要 本发明公开了一种非挥发性存储器的擦除 方法,包括:步骤一、对选定擦除块进行预验证和 预编程。步骤二、记录完成步骤一的第一流程时 间。步骤三、完成擦除过程步骤。步骤四、根据第 一流程时间动态设定修复区间,第一流程时间越 长修复区间越小,反之亦然。步骤五、对修复区间 中受擦除干扰区域内的各存储单元进行修复,完 成修复操作的时间为第二修复时间,第一流程时 间和第二修复时间的和为第三时间。步骤六、擦 除流程结束,完成擦除流程的时间为第四流程时 间。修复区间的动态设置使第三时间的变化范围 减少并从而使第四流程时间的变化范围减少。本 A 发明还提供一种非挥发性存储器的擦除装置。本

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