具有复制路径的穿硅通孔检查电路

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530502 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010952553.2 (22)申请日 2020.09.11 (30)优先权数据 16/576,647 2019.09.19 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 真壁晴空　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王龙 (51)Int.Cl. G11C 29/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图10页 (54)发明名称 具有复制路径的穿硅通孔检查电路 (57)摘要 本申请案涉及具有复制路径的TSV检查电 路。本文中揭示一种设备，其包含：第一半导体芯 片；第一TSV及第二TSV，其穿透所述第一半导体 芯片；第一路径，其包含所述第一TSV；第二路径， 其包含所述第二TSV；第一充电电路，其经配置以 对所述第一路径进行充电；第二充电电路，其经 配置以对所述第二路径进行充电；第一放电电 路，其经配置以对所述第一路径进行放电；第二 放电电路，其经配置以对所述第二路径进行放 电；及比较器电路，其经配置以将所述第一路径 的电位与所述第二路径的电位进行比较。 A 2 0 5 0 3 5 2 1 1 N C CN 112530502 A 权　利　要　求　书