具有错误校验和清除模式的存储器装置、系统及方法
- 申请专利号:CN202111091173.5
- 公开(公告)日:2025-07-08
- 公开(公告)号:CN113808658A
- 申请人:英特尔公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808658 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111091173.5 (22)申请日 2016.08.04 (30)优先权数据 62/211448 2015.08.28 US 14/998184 2015.12.26 US (62)分案原申请数据 201680050250.3 2016.08.04 (71)申请人 英特尔公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 J.B.哈尔伯特 K.S.拜因斯 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公 司 72001 代理人 李啸 (51)Int.Cl. G11C 29/42 (2006.01) 权利要求书2页 说明书19页 附图9页 (54)发明名称 存储器装置错误校验和清除模式以及错误 透明度 (57)摘要 错误校验和清除(ECS)模式使存储器装置能 够执行错误校验和纠正(ECC)并对错误计数。关 联的存储器控制器用发送到存储器装置的触发 器触发ECS模式。存储器装置包含多个可寻址存 储器位置,其能被组织成段(诸如字线)。存储器 位置存储数据并且具有关联的ECC信息。在ECS模 式中,存储器装置读一个或更多存储器位置,并 且基于ECC信息对于所述一个或更多存储器位置 执行ECC。存储器装置对错误信息进行计数,错误 信息包含指示具有至少阈值数量的错误的段的 数量的段计数以及指示在任何段中的最大数量 A 的错误的最大计数。
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