一种薄膜材料样品的高通量制备装置
- 申请专利号:CN202310341059.6
- 公开(公告)日:2025-04-11
- 公开(公告)号:CN116334573A
- 申请人:北京航空航天大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116334573 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310341059.6 (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人 北京航空航天大学 地址 100083 北京市海淀区学院路37号 (72)发明人 祝薇 韩广宇 邓元 郭思铭 (74)专利代理机构 北京中慧创科知识产权代理 事务所 (特殊普通合伙) 11721 专利代理师 由元 (51)Int.Cl. C23C 14/56 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01) C23C 14/32 (2006.01) C23C 14/30 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种薄膜材料样品的高通量制备装置 (57)摘要 本发明提供一种薄膜材料样品的高通量制 备装置,包括:壳体、材料释放装置、基台、固定掩 膜板和活动掩膜板;材料释放装置设置在壳体的 内腔中 ,用以向内腔中释放沉积材料的气相原 子,基台具有位于在内腔中的承接面 ;固定掩膜 板固定连接在承接面上,在固定掩膜板上设置有 轴线与承接面的沉积孔,活动掩膜板体贴合在固 定掩膜板的背对基台的表面上,在活动掩膜板上 设置有能够与沉积孔相对应的流通孔,内腔中的 气相原子能够通过流通孔进入沉积孔中,并在沉 积孔
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