发明

一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用

2023-04-24 09:54:48 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111240173.7
  • 公开(公告)日:2025-07-01
  • 公开(公告)号:CN114014257A
  • 申请人:华中科技大学
摘要:本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用,包括:S1、在硅晶圆基片上表面沉积绝缘材料,得到悬臂支撑层;S2、在悬臂支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极;S3、在加热电极表面晶圆级沉积绝缘层;S4、在绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极;S5、在测试电极表面晶圆级沉积粘结层;S6、在粘结层表面整体制备气敏薄膜;S7、在腐蚀窗口处通入腐蚀液,对气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片进行湿法腐蚀后,得到气体传感器晶圆;S8、对气体传感器晶圆进行划片处理,得到硅基MEMS气体传感器芯片;其中,粘结层与气敏薄膜的材料相同。本发明所得的气体传感器芯片兼具高稳定和高灵敏等优良气敏性能,实现了硅基气体敏感薄膜的兼容制造。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114014257 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111240173.7 (22)申请日 2021.10.25 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 段国韬 张征 张彦林 吕国梁  (74)专利代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 祝丹晴 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01N 27/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法 及应用 (57)摘要 本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器芯 片的制备方法及应用,包括:S1、在硅晶圆基片上 表面沉积绝缘材料,得到悬臂支撑层;S2、在悬臂 支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极;S3、 在加热电极表面晶圆级沉积绝缘层;S4、在绝缘 层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极;S5、在 测试电极表面晶圆级沉积粘结层;S6、在粘结层 表面整体制备气敏薄膜;S7、在腐蚀窗口处通入 腐蚀液,对气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片 进行湿法腐蚀后,得到气体传感器晶圆;S8、对气 体传感器晶圆进行划片处理,得到硅基MEMS气体 A 传感器芯片;其中,粘结层与气敏薄膜的材料相 7 同。本发明所得的气

最新专利