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PCT发明

基于倒序工艺的原子级粗糙表面制备工艺

2023-05-10 11:50:36 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080047178.5
  • 公开（公告）日：2023-06-02
  • 公开（公告）号：CN114531872A
  • 申请人：深圳清华大学研究院|||清华大学
摘要：一种倒序工艺的原子级粗糙表面制备工艺，包括如下步骤：堆叠步骤，在第一基底(1)的表面设置牺牲层(2)，然后在牺牲层(2)上设置绝缘层(3)和导线层(4)，牺牲层(2)设于绝缘层(3)和第一基底(1)之间，且绝缘层(3)朝向牺牲层(2)的一侧面为原子级粗糙表面；粘接步骤，将第二基底(7)粘接于导线层(4)或绝缘层(3)上；去除步骤，将第一基底(1)和牺牲层(2)完全去除。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114531872 A (43)申请公布日 2022.05.24 (21)申请号 202080047178.5 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) (22)申请日 2020.12.30 C23C 16/01 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C23C 16/34 (2006.01) 2021.12.27 C23C 16/40 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 C23C 16/455 (2006.01) PCT/CN2020/141583 2020.12.30 B82Y 40/00 (2011.01) (71)申请人 深圳清华大学研究院 地址 518057 广东省深圳市南山区科技园 高新南七道深圳清华大学研究院 申请人 清华大学 (72)发明人 向小健　郑泉水　 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 专利代理师 潘登 权

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