发明

高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法2025

2024-03-31 07:44:34 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311857011.7
  • 公开(公告)日:2025-04-11
  • 公开(公告)号:CN117778977A
  • 申请人:山西农业大学
摘要:本发明公开了高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法,属于材料表面改性技术领域。针对现有单靶高功率脉冲磁控溅射(调制脉冲磁控溅射)、直流‑高功率脉冲磁控共溅射以及同质多靶调制脉冲磁控溅射复合共沉积等方法难以实现对多元合金涂层成分与微结构进行系统调控的问题,本发明结合高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射的等离子体与脉冲放电特性,通过控制溅射功率、溅射频率、占空比、脉冲时间间隔、峰值电流以及偏压幅值等参数实现对涂层成分与微结构的调控。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117778977 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311857011.7 (22)申请日 2023.12.29 (71)申请人 山西农业大学 地址 030031 山西省太原市小店区龙城大 街81号 (72)发明人 林铁贵 覃凯凯 张玉芬 马凯丽  韩玥 杨哲  (74)专利代理机构 太原申立德知识产权代理事 务所(特殊普通合伙) 14115 专利代理师 董志鹏 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射 复合共沉积方法 (57)摘要 本发明公开了高功率脉冲磁控溅射与调制 脉冲磁控溅射复合共沉积方法,属于材料表面改 性技术领域。针对现有单靶高功率脉冲磁控溅射 (调制脉冲磁控溅射)、直流‑高功率脉冲磁控共 溅射以及同质多靶调制脉冲磁控溅射复合共沉 积等方法难以实现对多元合金涂层成分与微结 构进行系统调控的问题,本发明结合高功率脉冲 磁控溅射与调制脉冲磁控溅射的等离子体与脉 冲放电特性,通过控制溅射功率、溅射频率、占空 比、脉冲时间间隔、峰值电流以及偏压幅值等参 数实现对涂层成分与微结构的调控。 A 7 7 9 8 7 7 7 1 1 N C CN 117778977

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