高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射复合共沉积方法2025
- 申请专利号:CN202311857011.7
- 公开(公告)日:2025-04-11
- 公开(公告)号:CN117778977A
- 申请人:山西农业大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117778977 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311857011.7 (22)申请日 2023.12.29 (71)申请人 山西农业大学 地址 030031 山西省太原市小店区龙城大 街81号 (72)发明人 林铁贵 覃凯凯 张玉芬 马凯丽 韩玥 杨哲 (74)专利代理机构 太原申立德知识产权代理事 务所(特殊普通合伙) 14115 专利代理师 董志鹏 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 高功率脉冲磁控溅射与调制脉冲磁控溅射 复合共沉积方法 (57)摘要 本发明公开了高功率脉冲磁控溅射与调制 脉冲磁控溅射复合共沉积方法,属于材料表面改 性技术领域。针对现有单靶高功率脉冲磁控溅射 (调制脉冲磁控溅射)、直流‑高功率脉冲磁控共 溅射以及同质多靶调制脉冲磁控溅射复合共沉 积等方法难以实现对多元合金涂层成分与微结 构进行系统调控的问题,本发明结合高功率脉冲 磁控溅射与调制脉冲磁控溅射的等离子体与脉 冲放电特性,通过控制溅射功率、溅射频率、占空 比、脉冲时间间隔、峰值电流以及偏压幅值等参 数实现对涂层成分与微结构的调控。 A 7 7 9 8 7 7 7 1 1 N C CN 117778977
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