发明

化学反应源供应系统及半导体加工装置2025

2024-03-02 07:12:43 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311419668.5
  • 公开(公告)日:2025-03-25
  • 公开(公告)号:CN117568782A
  • 申请人:研微(江苏)半导体科技有限公司
摘要:本发明提供一种化学反应源供应系统,包括:反应源容器、加热柜、反应源供应管路、第一控制阀、加热装置及冷却装置、反应源容器位于加热柜内,加热柜的内部处于大气压环境;第一控制阀的底部阀体设置在加热柜内部,工作温度为≥200℃,第一控制阀的执行器设置在加热柜外,执行器的工作温度为≤120℃;加热装置包括第一加热单元和第二加热单元;第一加热单元设置于加热柜内,用于对反应源容器进行加热,第二加热单元设置于加热柜外,用于对加热柜进行加热;冷却装置设置在加热柜外部。本发明经改善的结构设计,使得整个系统的结构极大简化,体积极大减小,使用和维护成本可以显著降低。使用本发明提供的半导体加工装置,有助于降低生产成本。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117568782 A (43)申请公布日 2024.02.20 (21)申请号 202311419668.5 (22)申请日 2023.10.30 (71)申请人 研微(江苏)半导体科技有限公司 地址 214000 江苏省无锡市无锡经济开发 区太湖街道震泽路688号太湖湾信息 技术产业园1号楼2201-01 (72)发明人 董斌 苏扬杨 卞达开 罗际蔚  (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 专利代理师 卢炳琼 (51)Int.Cl. C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 化学反应源供应系统及半导体加工装置 (57)摘要 本发明提供一种化学反应源供应系统,包 括:反应源容器、加热柜、反应源供应管路、第一 控制阀、加热装置及冷却装置、反应源容器位于 加热柜内,加热柜的内部处于大气压环境;第一 控制阀的底部阀体设置在加热柜内部,工作温度 为≥200℃,第一控制阀的执行器设置在加热柜 外,执行器的工作温度为≤120℃;加热装置包括 第一加热单元和第二加热单元;第一加热单元设 置于加热柜内,用于对反应源容器进行加热,第 二加热单元设置于加热柜外,用于对加热柜进行 加热;冷却装置设置在加热柜外部。本发明经改 善的结构设

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