气相沉积装置以及使用高纯度聚合物衍生的碳化硅的技术

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114000197 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111220327.6 C30B 25/20 (2006.01) (22)申请日 2016.09.23 (30)优先权数据 62/232,355 2015.09.24 US (62)分案原申请数据 201680067713.7 2016.09.23 (71)申请人 帕里杜斯有限公司 地址 美国纽约州奥尔巴尼 (72)发明人 马克 ·S ·兰德　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 代理人 郝传鑫 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书48页 附图10页 (54)发明名称 气相沉积装置以及使用高纯度聚合物衍生 的碳化硅的技术 (57)摘要 本发明涉及有机硅化学、聚合物衍生的陶瓷 材料与方法。本发明所提供的材料与方法是为制 备具有3个9、4个9、6个9以及更高纯度的聚碳氧 化硅(SiOC)与碳化硅(SiC)材料。本发明还提供 了气相沉积工序及其通过使用所述高纯度SiOC 与SiC所得到的制品。 A 7 9 1 0 0 0 4 1 1 N C CN 114000197 A 权　利　要　求　书