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一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭

2023-06-23 07:38:37 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202010156644.5
  • 公开(公告)日:2024-08-16
  • 公开(公告)号:CN113373503A
  • 申请人:赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司|||江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要:本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法,用于单晶硅锭的铸造,包括:提供坩埚,在所述坩埚的底部铺设籽晶层,所述籽晶层由三种籽晶错位拼接形成,每种所述籽晶分别至少包括一块;其中,所述三种籽晶的生长面晶向相同,所述三种籽晶的侧面晶向不同,所述生长面晶向为<001>、<011>或<111>;当所述三种籽晶的其中一种籽晶包括多块时,多块所述一种籽晶之间互不接触。由所述籽晶铺设方法铺设的籽晶层,能有利于减少晶体位错比例,提高硅锭的质量。本申请还提供了一种单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113373503 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202010156644.5 C30B 29/06(2006.01) (22)申请日 2020.03.09 (71)申请人 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限 公司 地址 338004 江西省新余市高新技术产业 园区 申请人 江西赛维LDK太阳能高科技有限公 司 (72)发明人 雷琦 何亮 徐云飞 毛伟  李建敏 邹贵付 甘胜泉 陈仙辉  (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 代理人 郝传鑫 熊永强 (51)Int.Cl. C30B 11/14(2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和 单晶硅锭 (57)摘要 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法,用 于单晶硅锭的铸造,包括:提供坩埚,在所述坩埚 的底部铺设籽晶层,所述籽晶层由三种籽晶错位 拼接形成,每种所述籽晶分别至少包括一块;其 中,所述三种籽晶的生长面晶向相同,所述三种 籽晶的侧面晶向不同,所述生长面晶向为<001>、 <011>或<111>;当所述三种籽

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