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发明

一种14T抗辐照SRAM存储单元电路

2023-05-10 11:28:36 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210068745.6
  • 公开（公告）日：2025-07-29
  • 公开（公告）号：CN114496021A
  • 申请人：安徽大学
摘要：本发明公开了一种14T抗辐照SRAM存储单元电路，包括8个NMOS晶体管和6个PMOS晶体管；PMOS晶体管P5和NMOS晶体管N3构成第一个反向器，PMOS晶体管P6和NMOS晶体管N4构成第二个反向器，这两个反向器交叉耦合；N1与N2对内部存储节点QB与Q进行加固，Q与QB全部由NMOS晶体管包围，这构成了极性加固结构；外围节点S0与S1由P1和P2交叉耦合，N5与N6作为下拉管；QB与Q通过N7与N8连接到BLB和BL，N7的栅极和N8的栅极均与字线WL电连接。本发明可以提高单元抗单粒子翻转能力，能够抵抗所有的单节点翻转，还可以抵抗外围存储双节点翻转，而且单元的临界电荷相对较高，单元更加稳定。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496021 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210068745.6 (22)申请日 2022.01.20 (71)申请人 安徽大学 地址 230601 安徽省合肥市经济开发区九 龙路111号 (72)发明人 郝礼才　刘新宇　彭春雨　赵强　 卢文娟　高珊　蔺智挺　吴秀龙　 陈军宁　 (74)专利代理机构 北京凯特来知识产权代理有 限公司 11260 专利代理师 郑立明　李闯 (51)Int.Cl. G11C 11/411 (2006.01) G11C 11/413 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 一种14T抗辐照SRAM存储单元电路 (57)摘要 本发明公开了一种14T抗辐照SRAM存储单元 电路，包括8个NMOS晶体管和6个PMOS晶体管； PMOS晶体管P5和NMOS晶体管N3构成第一个反向 器，PMOS晶体管P6和NMOS晶体管N4构成第二个反 向器，这两个反向器交叉耦合；N1与N2对内部存 储节点QB与Q进行加固，Q与QB全部由NMOS晶体管 包围，这构成了极性加固结构；外围节点S0与S1 由P1和P2交叉耦合，N5与N6作为下拉管；QB与Q通 过N7与N8连接到BLB和BL，N7的栅极和N8的栅极 均与字线WL电连接。本发明可以提高单元抗单粒 子翻转能力，能够抵抗所有的单节点翻转，还可

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