半导体存储器件的纠错电路和半导体存储器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140252 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202011026420.9 (22)申请日 2020.09.25 (30)优先权数据 10-2020-0005703 2020.01.16 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 赵诚慧　李起准　宋英杰　金成来　 金赞起　李明奎　车相彦　 (74)专利代理机构 北京市立方律师事务所 11330 代理人 李娜　赵莎 (51)Int.Cl. G11C 29/42 (2006.01) G11C 11/4078 (2006.01) 权利要求书5页 说明书15页 附图30页 (54)发明名称 半导体存储器件的纠错电路和半导体存储 器件 (57)摘要 一种半导体存储器件的纠错电路包括纠错 码(ECC)编码器和ECC解码器。所述ECC编码器使 用由生成矩阵表示的纠错码，基于主数据生成奇 偶校验数据，并将包括所述主数据和所述奇偶校 验数据的码字存储在存储单元阵列的目标页面 中。所述ECC解码器基于从所述半导体存储器件 的外部提供的地址，从所述目标页面读取所述码 字作为读取码字，以基于所述读取码字和奇偶校 验矩阵生成不同的校正子，所述奇偶校验矩阵是 基于所述ECC的；并且，将所述不同的校正子应用 于所述读取码字中的所述主数据，以在所述主数 A 据中存在单个位错误时纠正所述单个位错误，或