发明

存储系统以及半导体存储装置

2023-06-18 07:09:13 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110823819.8
  • 公开(公告)日:2025-09-19
  • 公开(公告)号:CN113963737A
  • 申请人:铠侠股份有限公司
摘要:本发明的实施方式提供能够使擦除动作的性能提高的存储系统以及半导体存储装置。实施方式的存储系统具备:半导体存储装置,其包括能够存储数据的第1存储单元;和控制器,其输出与在对于所述第1存储单元的第1擦除动作中使用的擦除电压有关的第1参数和命令进行所述第1擦除动作的第1命令,所述控制器在向所述半导体存储装置输出了所述参数之后,输出所述第1命令。实施方式的半导体存储装置具备:存储单元,其能够存储数据;和控制电路,其对所述存储单元进行擦除动作,所述控制电路接收与在所述擦除动作中使用的擦除电压有关的参数,然后,接收命令进行所述擦除动作的第1命令,然后,使用所述参数来进行所述擦除动作。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113963737 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202110823819.8 (22)申请日 2021.07.21 (30)优先权数据 2020-124259 2020.07.21 JP (71)申请人 铠侠股份有限公司 地址 日本东京都 (72)发明人 黑濑贤吾 白川政信 山田英树  高田万里江  (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 万利军 段承恩 (51) Int.C l. G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/14 (2006.01) 权利要求书3页 说明书38页 附图38页 (54)发明名称 存储系统以及半导体存储装置 (57)摘要 本发明的实施方式提供能够使擦除动作的 性能提高的存储系统以及半导体存储装置。实施 方式的存储系统具备:半导体存储装置,其包括 能够存储数据的第1存储单元;和控制器,其输出 与在对于所述第1存储单元的第1擦除动作中使 用的擦除电压有关的第1参数和命令进行所述第 1擦除动作的第1命令,所述控制器在向所述半导 体存储装置输出了所述参数之后,输出所述第1 命令。实施方式的半导体存储装置具备:存储单 元,其能够存储数据;和控制电路,其对所述存储 单元进行擦除动作,所述控制电路接收与在所述 擦除动作中使用的擦除电压有关的参数,然后, A 接收命令进行所述擦除动作的第1命令,然后,使

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