存储器元件及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512163 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202110954467.X (22)申请日 2021.08.19 (30)优先权数据 17/099,206 2020.11.16 US (71)申请人 南亚科技股份有限公司 地址 中国台湾新北市 (72)发明人 简荣兴　 (74)专利代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 专利代理师 黄艳 (51)Int.Cl. G11C 11/401 (2006.01) G11C 11/404 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图24页 (54)发明名称 存储器元件及其制备方法 (57)摘要 提供一种存储器元件，包括半导体基底，具 有第一主动区以及第二主动区，第二主动区邻近 第一主动区。该存储器元件还具有第一字元线， 延伸经过第一主动区与第二主动区。该存储器元 件还具有位在第一主动区中的第一源极/漏极区 以及位在第二主动区中的第二源极/漏极区，而 第一源极/漏极区与第二源极/漏极区设置在第 一字元线的相对两侧处。此外，该存储器元件具 有第一电容器以及第二电容器；第一电容器设置 在第一主动区中的第一源极/漏极区上，且电性 连接到位在第一主动区中的第一源极/漏极区； 而第二电容器设置在第二主动区中的第二源极/ A 漏极区上，且电性连接到位在第二主动区中的第 3 二源极/漏极区。第一电容器与第二电容器具有 6 1 2