发明

一种提高成膜质量的进气结构

2023-06-01 07:11:35 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211545180.2
  • 公开(公告)日:2025-07-01
  • 公开(公告)号:CN115821376A
  • 申请人:宁波恒普技术股份有限公司
摘要:本发明公开一种提高成膜质量的进气结构,涉及半导体生产设备技术领域,包括进气室、反应室和基座;进气室内设置有多个保护气体流道和多个反应气体流道;多个保护气体流道和多个反应气体流道的进气端均位于进气室外侧,多个保护气体流道和多个反应气体流道的出气端均位于进气室底部;且相邻的反应气体流道的出气端被保护气体流道的出气端完全隔开。本发明中的提高成膜质量的进气结构,采用多个相互独立的密闭流道进气,保护气体将多种反应气体隔离,并通过设置调整件,改变每种反应气流道的横截面积,以改变反应气的在出气端的流速避免沉积。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115821376 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211545180.2 (22)申请日 2022.12.05 (71)申请人 宁波恒普真空科技股份有限公司 地址 315300 浙江省宁波市慈溪高新技术 产业开发区新兴一路365号 (72)发明人 刘鹏 徐文立 沈磊  (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 郑粟文 (51)Int.Cl. C30B 25/14 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种提高成膜质量的进气结构 (57)摘要 本发明公开一种提高成膜质量的进气结构, 涉及半导体生产设备技术领域,包括进气室、反 应室和基座;进气室内设置有多个保护气体流道 和多个反应气体流道;多个保护气体流道和多个 反应气体流道的进气端均位于进气室外侧,多个 保护气体流道和多个反应气体流道的出气端均 位于进气室底部;且相邻的反应气体流道的出气 端被保护气体流道的出气端完全隔开。本发明中 的提高成膜质量的进气结构,采用多个相互独立 的密闭流道进气,保护气体将多种反应气体隔 离,并通过设置调整件,改变每种反应气流道的 横截面积,以改变反应气的在出气端的流速避免 A 沉积。 6 7 3 1 2 8 5 1 1 N C CN 115821376 A 权 利 要 求 书

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