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直拉单晶硅的温度控制方法、电子设备和直拉单晶炉

2023-05-15 10:43:21 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202111333834.0
  • 公开(公告)日:2025-06-27
  • 公开(公告)号:CN116103750A
  • 申请人:隆基绿能科技股份有限公司
摘要:本公开涉及一种直拉单晶硅的温度控制方法、电子设备和直拉单晶炉,该方法包括:在确定坩埚中硅液的液面温度位于预设的温度区间的情况下,按照硅液的引晶加热功率控制加热装置对硅液进行加热,并控制坩埚以变化的转动速度进行转动。如此,通过控制硅液以变化的转动速度进行转动,可以破坏硅液在坩埚转动过程中形成的稳态,便于硅液内的换热,进而可以使硅液的温度快速稳定,减少硅液的温度波动。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116103750 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202111333834.0 (22)申请日 2021.11.11 (71)申请人 隆基绿能科技股份有限公司 地址 710100 陕西省西安市长安区航天中 路388号 (72)发明人 张伟建 杨正华 王正远 郭力  杜婷婷  (74)专利代理机构 北京英创嘉友知识产权代理 事务所(普通合伙) 11447 专利代理师 贾会玲 (51)Int.Cl. C30B 15/22 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 直拉单晶硅的温度控制方法、电子设备和直 拉单晶炉 (57)摘要 本公开涉及一种直拉单晶硅的温度控制方 法、电子设备和直拉单晶炉,该方法包括:在确定 坩埚中硅液的液面温度位于预设的温度区间的 情况下,按照硅液的引晶加热功率控制加热装置 对硅液进行加热,并控制坩埚以变化的转动速度 进行转动。如此,通过控制硅液以变化的转动速 度进行转动,可以破坏硅液在坩埚转动过程中形 成的稳态,便于硅液内的换热,进而可以使硅液 的温度快速稳定,减少硅液的温度波动。 A 0 5 7 3 0 1 6 1 1 N C CN 116103750 A 权 利 要 求 书

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