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发明

绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法2025

2023-10-31 07:13:45 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210406596.X
  • 公开（公告）日：2025-06-27
  • 公开（公告）号：CN116949564A
  • 申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下于顶层硅上外延生长AlN缓冲层；在第二生长温度下于AlN缓冲层上外延生长第一AlN层；在第三生长温度下于第一AlN层上外延生长第二AlN层。本发明利用内嵌空腔的绝缘体上硅衬底，减少高温生长单晶AlN薄膜时晶格失配及热失配所带来的影响，从而可以实现无裂纹的单晶AlN薄膜生长。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116949564 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202210406596.X (22)申请日 2022.04.18 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 母志强　姜文铮　朱宇波　陈玲丽　 俞文杰　李卫民　 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 专利代理师 罗泳文 (51)Int.Cl. C30B 23/02 (2006.01) C30B 25/20 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) H03H 3/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方 法 (57)摘要 本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN 薄膜及其制备方法，所述制备方法包括 ：提供一 绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层 硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两 者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下 于顶层硅上外延生长AlN缓冲层；在第二生长温 度下于AlN缓冲层上外延生长第一AlN层；在第三 生长温度下于第一AlN层上外延生长第二AlN层。 本发明利用内嵌空腔的绝缘体上硅衬底，减少高 温生长单晶AlN薄膜时晶格失配及热失

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